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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY

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Artikelnummer
NP100P06PDG-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NP100P06PDG-E1-AY.pdf
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Artikelnummer
NP100P06PDG-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
15000pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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