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DMT8012LFG-7

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Artikelnummer
DMT8012LFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT8012LFG-7.pdf
Gesamt:$0.45884
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.45884

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Artikelnummer
DMT8012LFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1949pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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