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IPI65R099C6XKSA1

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Artikelnummer
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI65R099C6XKSA1.pdf
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Artikelnummer
IPI65R099C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
127nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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