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IRF7807D2

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Artikelnummer
IRF7807D2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7807D2.pdf
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Artikelnummer
IRF7807D2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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