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STB36NF06LT4

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Artikelnummer
STB36NF06LT4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB36NF06LT4.pdf
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Artikelnummer
STB36NF06LT4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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