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SI3440DV-T1-E3

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Artikelnummer
SI3440DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI3440DV-T1-E3.pdf
Gesamt:$0.65420
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(In US-Dollar)
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$0.65420

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Artikelnummer
SI3440DV-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
375 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.14W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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