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IRF630S

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Artikelnummer
IRF630S
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IRF630S
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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