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DMT6010LFG-7

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Artikelnummer
DMT6010LFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT6010LFG-7.pdf
Gesamt:$0.35900
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$0.35900

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Artikelnummer
DMT6010LFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2090pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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