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IXTP32N65XM

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Artikelnummer
IXTP32N65XM
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTP32N65XM.pdf
Gesamt:$4.18500
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.18500

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Artikelnummer
IXTP32N65XM
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2206pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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