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IRL3102S

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Artikelnummer
IRL3102S
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRL3102S.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IRL3102S
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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