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RTU002P02T106

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Artikelnummer
RTU002P02T106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RTU002P02T106.pdf
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Artikelnummer
RTU002P02T106
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 250mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
UMT3
Paket / fall
SC-70, SOT-323

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