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CSD17318Q2

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Artikelnummer
CSD17318Q2
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
30V N CH MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD17318Q2.pdf
Gesamt:$0.17360
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(In US-Dollar)
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$0.17360

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Artikelnummer
CSD17318Q2
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
30V N CH MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
879pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
16W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-WSON (2x2)
Paket / fall
6-WDFN Exposed Pad

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