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SI8902AEDB-T2-E1

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Artikelnummer
SI8902AEDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI8902AEDB-T2-E1.pdf
Gesamt:$0.33602
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(In US-Dollar)
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$0.33602

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Artikelnummer
SI8902AEDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
5.7W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-UFBGA
Supplier Device Package
6-Micro Foot™ (1.5x1)

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