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FDB86366-F085

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Artikelnummer
FDB86366-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.37598
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$1.37598

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Artikelnummer
FDB86366-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
112nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6280pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
176W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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