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SI1026X-T1-GE3

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Artikelnummer
SI1026X-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1026X-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.16642
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.16642

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Artikelnummer
SI1026X-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Leistung max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
SC-89-6

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