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FCH35N60

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Artikelnummer
FCH35N60
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCH35N60.pdf
Gesamt:$4.94098
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(In US-Dollar)
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$4.94098

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Artikelnummer
FCH35N60
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
181nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6640pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Paket / fall
TO-247-3

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