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BSO330N02KGFUMA1

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Artikelnummer
BSO330N02KGFUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO330N02KGFUMA1.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
BSO330N02KGFUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 10V
Leistung max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8

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