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GA50JT12-263

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Artikelnummer
GA50JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
GA50JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
-
Technologie
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
-
Supplier Device Package
-
Paket / fall
-

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