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BSO110N03MSGXUMA1

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Artikelnummer
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO110N03MSGXUMA1.pdf
Gesamt:$0.35808
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(In US-Dollar)
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$0.35808

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Artikelnummer
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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