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SQJ411EP-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJ411EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJ411EP-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.63419
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$0.63419

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Artikelnummer
SQJ411EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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