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IPD50R650CEATMA1

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Artikelnummer
IPD50R650CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD50R650CEATMA1.pdf
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Artikelnummer
IPD50R650CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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