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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln FDS6680AS

FDS6680AS

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Artikelnummer
FDS6680AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDS6680AS.pdf
Gesamt:$0.39135
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.39135

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Artikelnummer
FDS6680AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1240pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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