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RJM0603JSC-00#12

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Artikelnummer
RJM0603JSC-00#12
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RJM0603JSC-00#12.pdf
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Artikelnummer
RJM0603JSC-00#12
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 10V
Leistung max
54W
Betriebstemperatur
175°C
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package
20-HSOP

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