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IXFX32N80P

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Artikelnummer
IXFX32N80P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFX32N80P.pdf
Gesamt:$9.45367
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(In US-Dollar)
1Stck
$9.45367

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Artikelnummer
IXFX32N80P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Paket / fall
TO-247-3

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