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IXFN60N80P

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Artikelnummer
IXFN60N80P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFN60N80P.pdf
Gesamt:$28.10000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$28.10000

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Artikelnummer
IXFN60N80P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
53A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
18000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Paket / fall
SOT-227-4, miniBLOC

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