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HUF76639S3S

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Artikelnummer
HUF76639S3S
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HUF76639S3S.pdf
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Artikelnummer
HUF76639S3S
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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