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2N7638-GA

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Artikelnummer
2N7638-GA
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 650V 8A TO276
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2N7638-GA.pdf
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Artikelnummer
2N7638-GA
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 650V 8A TO276
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
-
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Tc) (158°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 35V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-276
Paket / fall
TO-276AA

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