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SI1926DL-T1-E3

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Artikelnummer
SI1926DL-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1926DL-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI1926DL-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 30V
Leistung max
510mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6 (SOT-363)

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