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GA05JT12-247

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Artikelnummer
GA05JT12-247
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
GA05JT12-247
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 5A
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
-
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
106W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AB
Paket / fall
TO-247-3

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