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MUR420HB0G

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Artikelnummer
MUR420HB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MUR420HB0G.pdf
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Artikelnummer
MUR420HB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
890mV @ 4A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F
65pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package
DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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