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FQPF33N10L

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Artikelnummer
FQPF33N10L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQPF33N10L.pdf
Gesamt:$1.90000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.90000

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Artikelnummer
FQPF33N10L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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