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DMN3033LSDQ-13

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Artikelnummer
DMN3033LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3033LSDQ-13.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
DMN3033LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
725pF @ 15V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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