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GT60N321(Q)

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Artikelnummer
GT60N321(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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Artikelnummer
GT60N321(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 60A
Leistung max
170W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
330ns/700ns
Testbedingung
-
Reverse Recovery Time (trr)
2.5µs
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-3PL
Supplier Device Package
TO-3P(LH)

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