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EPC2010

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Artikelnummer
EPC2010
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2010.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
EPC2010
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
Die
Paket / fall
Die

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