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DMN3027LFG-13

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Artikelnummer
DMN3027LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3027LFG-13.pdf
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Artikelnummer
DMN3027LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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