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BSO303PNTMA1

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Artikelnummer
BSO303PNTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO303PNTMA1.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
BSO303PNTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
72.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1761pF @ 25V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
P-DSO-8

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