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FGH25N120FTDS

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Artikelnummer
FGH25N120FTDS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 50A 313W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FGH25N120FTDS.pdf
Gesamt:$7.87000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.87000

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Artikelnummer
FGH25N120FTDS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 50A 313W TO247
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
75A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 25A
Leistung max
313W
Energie wechseln
1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
169nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
26ns/151ns
Testbedingung
600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
535ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247

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