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DMN3026LVTQ-13

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Artikelnummer
DMN3026LVTQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3026LVTQ-13.pdf
Gesamt:$0.16850
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$0.16850

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Artikelnummer
DMN3026LVTQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
643pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TSOT-26
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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