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N0412N-S19-AY

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Artikelnummer
N0412N-S19-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
N0412N-S19-AY.pdf
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Artikelnummer
N0412N-S19-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5550pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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