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IPZ60R099C7XKSA1

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Artikelnummer
IPZ60R099C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPZ60R099C7XKSA1.pdf
Gesamt:$7.48000
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(In US-Dollar)
1Stck
$7.48000

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Artikelnummer
IPZ60R099C7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1819pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Paket / fall
TO-247-4

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