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W987D6HBGX6E TR

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Artikelnummer
W987D6HBGX6E TR
Hersteller
Winbond Electronics
Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
W987D6HBGX6E TR.pdf
Gesamt:$2.12106
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.12106

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Artikelnummer
W987D6HBGX6E TR
Hersteller
Winbond Electronics
Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Teilestatus
Not For New Designs
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße
128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
5.4ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
54-TFBGA
Supplier Device Package
54-VFBGA (8x9)

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