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RGT8NS65DGTL

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Artikelnummer
RGT8NS65DGTL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
RGT8NS65DGTL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
12A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Leistung max
65W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
13.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
17ns/69ns
Testbedingung
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
LPDS (TO-263S)

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