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IPB120N06S4H1ATMA1

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Artikelnummer
IPB120N06S4H1ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPB120N06S4H1ATMA1.pdf
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Artikelnummer
IPB120N06S4H1ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
21900pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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