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IRLD120

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Artikelnummer
IRLD120
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLD120.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IRLD120
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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