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RFN10NS6STL

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Artikelnummer
RFN10NS6STL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFN10NS6STL.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
RFN10NS6STL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.55V @ 10A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
LPDS
Betriebstemperatur - Übergang
150°C (Max)

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