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SI7956DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7956DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7956DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$1.78182
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.78182

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Artikelnummer
SI7956DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual

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