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SI6968BEDQ-T1-GE3

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Artikelnummer
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.26374

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Artikelnummer
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP

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