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BSM120D12P2C005

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Artikelnummer
BSM120D12P2C005
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSM120D12P2C005.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$373.29000

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Artikelnummer
BSM120D12P2C005
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
Leistung max
780W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
-
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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