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RV2C010UNT2L

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Artikelnummer
RV2C010UNT2L
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
RV2C010UNT2L
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
470 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN1006-3 (VML1006)
Paket / fall
SC-101, SOT-883

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