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IPI100N06S3L04XK

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Artikelnummer
IPI100N06S3L04XK
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI100N06S3L04XK.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$2.59000

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Artikelnummer
IPI100N06S3L04XK
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
362nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
17270pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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